| 1. | Наименование проекта | Наногетероэпитаксиальные структуры на основе нитрида галлия для твердотельной СВЧ и силовой электроники |
|---|---|---|
| 2. | Регистрационный номер ЦИТИС: | 125040204755-5 |
| 3. | Исполнитель | Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН |
| 4. | Ведомственная принадлежность | Минобрнауки России - наука |
| 5. | Заказчик | Минобрнауки России |
| 6. | Вид финансирования | ГЗ |
| 7. | Вид НИОКТР | Фундаментальная НИР |
| 8. | Приоритетное направление (основное), согласно Указу Президента Российской Федерации от 7 июля 2011 года № 899 | Индустрия наносистем |
| 9. | Приоритетное направление (дополнительное), согласно Указу Президента Российской Федерации от 7 июля 2011 года № 899 | Нет данных |
| 10. | Критическая технология (основная), согласно Указу Президента Российской Федерации от 7 июля 2011 года № 899 | Нано-, био-, информационные, когнитивные технологии |
| 11. | Критическая технология (дополнительная), согласно Указу Президента Российской Федерации от 7 июля 2011 года № 899 | Нет данных |
| 12. | Приоритет Стратегии НТР России, согласно Указу Президента Российской Федерации от 28 февраля 2024 г. № 145 | Переход к передовым технологиям проектирования и создания высокотехнологичной продукции, основанным на применении интеллектуальных производственных решений, роботизированных и высокопроизводительных вычислительных систем, новых материалов и химических соединений, результатов обработки больших объемов данных, технологий машинного обучения и искусственного интеллекта |
| 13. | Приоритетное направление научно-технологического развития РФ, согласно Указу Президента Российской Федерации от 18 июня 2024 года № 529 | |
| 14. | Важнейшая наукоемкая технология (основная), согласно Указу Президента Российской Федерации от 18 июня 2024 года № 529 | |
| 15. | Важнейшая наукоемкая технология (дополнительная), согласно Указу Президента Российской Федерации от 18 июня 2024 года № 529 | |
| 16. | Общее тематическое направление | Перспективные виды материалов, специальной техники и техники особого назначения |
| 17. | Приоритетное арктическое направление (основное) | Нет |
| 18. | Приоритетное арктическое направление (дополнительное) | Нет |
| 19. | Аннотация | На сегодняшний день динамично возрастающие требования к современной радиоэлектронной аппаратуре все более жестко определяют необходимость повышения характеристик электронной компонентной базы (ЭКБ) (по многофункциональности, мощности, частотному диапазону и т.д.), её миниатюризации, возможности работы в экстремальных условиях (Арктика, космическое пространство). Создание и освоение технологии производства гетероэпитаксиальных структур на основе нитрида галлия является одним из ключевых этапов развития твердотельной ЭКБ (GaN HEMT) для СВЧ и силовой электроники, который позволит реализовать указанные требования. Однако возможности использования GaN HEMT сдерживаются различными ограничениями, устранение которых задает вектор исследований в данном направлении: а) борьба с коллапсом тока и утечками через затвор и буферные слои, б) получение нормально-закрытого транзистора, в) получение омических контактов. |
| 20. | Начало проекта | 01.01.2025 |
| 21. | Завершение проекта | 31.12.2027 |